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SI5997DU-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
1￥2.69
10￥2.35
100￥2.00
250￥1.86
500￥1.79

产品属性

描述	MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V	漏极连续电流	- 6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.054 Ohms at 10 V	配置	Dual (MOSFET)
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	ChipFET	封装	Reel
功率耗散	10.4 W	零件号别名	SI5997DU-GE3

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