描述 | MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET | FET 特点 | 标准型 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 567 毫欧 @ 400mA,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.3nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 78pF @ 50V |
功率 - 最大 | 7.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 双 | 供应商设备封装 | PowerPAK? ChipFet 双 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI5980DU-T1-GE3TR |