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SI5980DU-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.2755
  • 6000$0.2565
  • 15000$0.247
  • 30000$0.2375
  • 75000$0.2337
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFETFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C567 毫欧 @ 400mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs3.3nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds78pF @ 50V
功率 - 最大7.8W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? CHIPFET? 双供应商设备封装PowerPAK? ChipFet 双
包装带卷 (TR)其它名称SI5980DU-T1-GE3TR

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