您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si6433dq
  • SI6433DQ

SI6433DQ

描述MOSFET 20V/8V P-Ch MOSFET漏极连续电流- 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)37 m Ohms配置Single Triple Drain Quad Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSSOP-8封装Reel
下降时间9 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1.3 W上升时间9 ns
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间36 ns

si6433dq的相关型号: