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  • SI6463DQ

SI6463DQ

描述MOSFET TSSOP8 SINGLE PCH漏极连续电流- 8.8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)10 m Ohms配置Single Triple Drain Quad Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSSOP-8封装Reel
下降时间14 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1.3 W上升时间14 ns
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间130 ns

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