| 描述 | N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta），6.7A（Tc），5.1A（Ta），6.1A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 5.7A，4.5V，30 毫欧 @ 5.1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 23nC @ 10V，51nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 850pF @ 10V，1200pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W（Ta），1.6W（Tc），1.2W（Ta），1.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
