| 描述 | MOSFET 20V 2.5/2.3A | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 95 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Common Dual Drain Dual Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TSSOP-8 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 34 nS, 32 nS |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1 W |
| 上升时间 | 34 nS, 32 nS | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 nS, 22 nS |
