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SI6925DQ-T1

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
  • 漏极连续电流:3.4 A
产品属性
描述MOSFET 20V 3.4A电阻汲极/源极 RDS(导通)50 mOhms at 4.5 V
配置Dual Dual Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TSSOP-8
封装Reel下降时间25 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1000 mW
上升时间25 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间40 ns

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