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  • SI6953DQ

SI6953DQ

描述MOSFET 20V/20V P-Channel Dual漏极连续电流- 1.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)96 m Ohms配置Dual Dual Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSSOP-8封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散1 W
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间12 ns

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