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  • SI7113DN-T1-E3

SI7113DN-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI7113DN
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$1.269
  • 6000$1.222
  • 15000$1.175
  • 30000$1.1515
  • 75000$1.128
产品属性
描述MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13.2A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C134 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1480pF @ 50V功率 - 最大52W
安装类型表面贴装封装/外壳PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8包装带卷 (TR)
其它名称SI7113DN-T1-E3TR

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