| 描述 | MOSFET 30V N-Ch FET | 漏极连续电流 | 7 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.03 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Dual Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 9 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 18 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 14 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
耗小； 4．有较优良的线性区，并且mosfet的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作hi-fi音响； 5．功率mosfet可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。 典型应用电路 1．电池反接保护电路 电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，pn结反接无电压降，但在正常工 作时有0.6～0.7v的管压降。采用导通电阻低的增强型n沟道mosfet具有极小的管压降(rds(on)×id)，如si9410dy的rds(on）约为0.04ω，则在la时约为0.04v。这时要注意在电池正确安装时，id并非完全通过管内的二极管，而是在vgs≥5v时，n导电沟道畅通(它相当于一个极小的电阻)而大部分电流是从s流向d的(id为负)。而当电池装反时，mosfet不通，电路得以保护。 2．触摸调光电路 一种简单的触摸调光电路如图10。当手指触摸上触头时，电容经手指电阻及100k充电，vgs渐增大，灯渐亮；当触摸下触头时，电容经100k及手指电阻放电，灯渐暗到灭。 3．甲类功率放大电路 由r1、r2建立vg ...
秒到几百纳秒)，开关损耗小；4．有较优良的线性区，并且mosfet的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作hi-fi音响；5．功率mosfet可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。典型应用电路 1．电池反接保护电路电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，pn结反接无电压降，但在正常工 作时有0.6～0.7v的管压降。采用导通电阻低的增强型n沟道mosfet具有极小的管压降(rds(on)×id)，如si9410dy的rds(on）约为0.04ω，则在la时约为0.04v。这时要注意在电池正确安装时，id并非完全通过管内的二极管，而是在vgs≥5v时，n导电沟道畅通(它相当于一个极小的电阻)而大部分电流是从s流向d的(id为负)。而当电池装反时，mosfet不通，电路得以保护。2．触摸调光电路一种简单的触摸调光电路如图10。当手指触摸上触头时，电容经手指电阻及100k充电，vgs渐增大，灯渐亮；当触摸下触头时，电容经100k及手指电阻放电，灯渐暗到灭。3．甲类功率放大电路由r1、r2建立vgs静态工作点(此 ...
去看看si9410dy，导通电阻在40mω左右也就是说，2a的电流，压降仅0.08v。5v的控制电压也没问题，不过如果速度要求高的话，需要一些驱动电流。速度应该也没啥问题，开关时间应该小于1us。价格就不清楚了。先去下个数据手册回来仔细看看。 ...
