您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > si9926bdy-t1-ge3
  • SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOICFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大1.14W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)

si9926bdy-t1-ge3的相关型号: