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SIA417DJ-T1-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:8 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 5 V
产品属性
描述MOSFET 8.0V 12A 19W漏极连续电流12 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)23 mOhms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK SC-70-6L封装Reel
下降时间45 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散3.5 W上升时间25 ns
工厂包装数量3000典型关闭延迟时间80 ns
零件号别名SIA417DJ-E3

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