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SIA444DJT-T1-GE3

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
漏极连续电流：12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.017 Ohms

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参考价格

数量单价
1￥5.24
10￥3.59
100￥3.11
250￥2.62
500￥2.42

产品属性

描述	MOSFET N-Channel 30 V (D-S)	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70	封装	Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	24 S	功率耗散	19 W
零件号别名	SIA444DJT-GE3

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