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  • SIA513DJ-T1-E3

SIA513DJ-T1-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
产品属性
描述MOSFET 20V 4.5A 6.5W漏极连续电流4.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)60 mOhms, 110 mOhms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK SC-70-6 Dual封装Reel
下降时间40 ns at N Channel, 45 ns at P Channel最小工作温度- 55 C
功率耗散6.5 W上升时间40 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
工厂包装数量3000典型关闭延迟时间20 ns at N Channel, 15 ns at P Channel
零件号别名SIA513DJ-E3

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