您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > sia850dj-t1-ge3

SIA850DJ-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:LITTLE FOOT?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$2.3275
  • 6000$2.23125
  • 15000$2.17
  • 30000$2.1
产品属性
描述MOSFET N-CH 190V 950MA SC70-6FET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)190V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C950mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.8 欧姆 @ 360mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4.5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds90pF @ 100V
功率 - 最大7W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SC-70-6 双供应商设备封装PowerPAK? SC-70-6 双
包装带卷 (TR)其它名称SIA850DJ-T1-GE3-NDSIA850DJ-T1-GE3TR

sia850dj-t1-ge3的相关型号: