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  • SIA913DJ-T1-E3

SIA913DJ-T1-E3

  • 制造商:Vishay(Vishay,Vishay)
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:12 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
描述MOSFET 12V 4.5A 6.5W漏极连续电流4.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)70 mOhms配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK SC-70-6 Dual封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散1.9 W
工厂包装数量3000零件号别名SIA913DJ-E3

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