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SIA929DJ-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 30 V
闸/源击穿电压：12 V

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参考价格

数量单价
1￥3.31
10￥3.17
100￥2.35
250￥2.00
500￥1.86

产品属性

描述	MOSFET -30 Volts 4.5 Amps 7.8 Watts	漏极连续电流	4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.052 Ohms	配置	Dual
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	PowerPAK SC-70
封装	Reel	下降时间	10 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	10 S	栅极电荷 Qg	14 nC
功率耗散	7.8 Watts	上升时间	10 ns
典型关闭延迟时间	22 ns	零件号别名	SIA929DJ-GE3

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