| 描述 | MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 52 毫欧 @ 5.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 12.75nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 675pF @ 4V | 功率 - 最大 | 13W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SC-75-6L 单 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SIB417DK-T1-GE3TR |
