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SIB431EDK-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

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参考价格

数量单价
1￥3.38
10￥2.42
100￥2.28
250￥2.13
500￥1.90

产品属性

描述	MOSFET 20V 9.0A 13W 80mohm @ 4.5V	漏极连续电流	4.4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.08 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK SC75-6L	封装	Reel
下降时间	8 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.4 W	上升时间	25 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	15 ns
零件号别名	SIB431EDK-GE3

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