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  • SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 8 V
  • 闸/源击穿电压:5 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥3.80
  • 10¥2.69
  • 100¥2.55
  • 250¥2.35
  • 500¥2.14
产品属性
描述MOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V漏极连续电流- 7.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.028 Ohms配置Single
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SC-75-6
封装Reel下降时间630 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)14 A栅极电荷 Qg10.5 nC
功率耗散2.4 W上升时间170 ns
零件号别名SIB437EDKT-GE3

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