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  • SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.29
  • 6000$0.27
  • 15000$0.26
  • 30000$0.25
  • 75000$0.246
产品属性
描述MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)190V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.4 欧姆 @ 500mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds135pF @ 50V
功率 - 最大13W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SC-75-6L供应商设备封装PowerPAK? SC-75-6L 单
包装带卷 (TR)其它名称SIB452DK-T1-GE3TR

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