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SIHB12N50C-E3

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：500 V
闸/源击穿电压：30 V
漏极连续电流：12 A

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参考价格

数量单价
1￥65.21
10￥55.41
100￥47.13
250￥40.09
500￥32.09

产品属性

描述	MOSFET N-Channel 500V	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.46 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 125 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	D2PAK
封装	Bulk	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	3 S
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	208 W

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