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SIHB15N60E-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:*
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$3.14
  • 25$2.52
  • 100$2.296
  • 250$2.072
  • 500$1.8592
产品属性
描述MOSFET N CH 600V 15A DPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 8A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs76nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 100V
功率 - 最大180W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装散装

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