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SiHB30N60E-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：600 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET N-Channel 600V	漏极连续电流	29 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	125 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	D2PAK-3	封装	Tube
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	5.4 S	栅极电荷 Qg	85 nC
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	250 W

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