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  • SIHD7N60ET-GE3

SIHD7N60ET-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:600 V
  • 闸/源击穿电压:4 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1250¥7.18
  • 2000¥6.90
  • 5000¥6.71
  • 10000¥6.49
产品属性
描述MOSFET 600V 7A 78W .6Ohm @ 10V漏极连续电流7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.6 Ohms配置Single
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体DPAK
功率耗散78 W

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