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  • SIHG35N60EF-GE3

SIHG35N60EF-GE3

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  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥54.30000管件
  • 系列:EF
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 600V 32A TO247ACFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)32A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)97 毫欧 @ 17A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)134 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2568 pF @ 100 VFET 功能-
功率耗散(最大值)250W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC
封装/外壳TO-247-3

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