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SIHP8N50D-E3

  • 制造商:-
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$0.7488
  • 2000$0.69888
  • 5000$0.66394
  • 10000$0.63648
  • 25000$0.61901
产品属性
描述MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220ABFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds527pF @ 100V
功率 - 最大156W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB
包装带卷 (TR)其它名称SIHP8N50D-E3TR

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