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  • SiHU3N50D-GE3

SiHU3N50D-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:500 V
  • 闸/源击穿电压:30 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥5.24
  • 10¥5.04
  • 100¥3.73
  • 250¥3.17
  • 500¥2.90
产品属性
描述MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V漏极连续电流3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)3.2 Ohms配置Single
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-251
封装Bulk下降时间13 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)1 S栅极电荷 Qg6 nC
功率耗散104 W上升时间9 ns
零件号别名SIHU3N50D-E3

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