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  • SiHU5N50D-GE3

SiHU5N50D-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:500 V
  • 闸/源击穿电压:30 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥7.25
  • 10¥6.76
  • 100¥5.04
  • 250¥4.35
  • 500¥4.00
产品属性
描述MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V漏极连续电流5.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)1.5 Ohms配置Single
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-251
封装Bulk下降时间11 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)1.8 S栅极电荷 Qg10 nC
功率耗散104 W上升时间11 ns
零件号别名SIHU5N50D-E3

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