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  • SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0175 Ohms

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥9.38
  • 25¥7.18
  • 100¥6.21
  • 250¥5.38
  • 500¥4.69
产品属性
描述MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK SO-8封装Reel
正向跨导 gFS(最大值/最小值)31 S栅极电荷 Qg14 nC
最小工作温度- 55 C功率耗散17.8 W
零件号别名SIR770DP-GE3

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