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  • SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

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  • 价格:3,000 : ¥5.63675卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET? Gen III
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.3 毫欧 @ 15A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)133 nC @ 10 VVgs(最大值)±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5125 pF @ 10 VFET 功能-
功率耗散(最大值)69W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? SO-8
封装/外壳PowerPAK? SO-8

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