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  • SiR818DP-T1-GE3

SiR818DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1960¥4.28
  • 3000¥4.14
  • 6000¥3.86
  • 12000¥3.66
产品属性
描述MOSFET 30 Volts 50 Amps 69 Watts漏极连续电流50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0023 Ohms配置Single
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PowerPAK SO-8
封装Reel下降时间10 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)104 S栅极电荷 Qg63 nC
功率耗散69 Watts上升时间15 ns
典型关闭延迟时间36 ns零件号别名SIR818DP-GE3

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