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  • SIR814DP-T1-GE3

SIR814DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.1 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)86 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3800 pF @ 20 VFET 功能-
功率耗散(最大值)6.25W(Ta),104W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? SO-8
封装/外壳PowerPAK? SO-8

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