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  • SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:60 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥12.42
  • 10¥9.73
  • 100¥8.76
  • 250¥7.66
  • 500¥6.83
产品属性
描述MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V电阻汲极/源极 RDS(导通)0.00165 Ohms
配置Single Dual Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PowerPAK SO-8
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散104 W零件号别名SIR812DP-GE3

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