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SIR808DP-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：25 V
闸/源击穿电压：20 V

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参考价格

数量单价
2000￥2.00
3000￥1.93
6000￥1.79
12000￥1.73

产品属性

描述	MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts	漏极连续电流	20 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0074 Ohms	配置	Single
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	PowerPAK SO-8
封装	Reel	下降时间	7 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	36 S	栅极电荷 Qg	15.2 nC
功率耗散	29.8 Watts	上升时间	10 ns
典型关闭延迟时间	14 ns	零件号别名	SIR808DP-GE3

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