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  • SIR866DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 特色产品:N-Channel TrenchFET? Gen III Power MOSFETs
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$1.161
  • 6000$1.118
  • 15000$1.075
  • 30000$1.0535
  • 75000$1.032
产品属性
描述MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOICFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.9 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs107nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4730pF @ 10V功率 - 最大83W
安装类型表面贴装封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8包装带卷 (TR)
其它名称SIR866DP-T1-GE3TR

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