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  • SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:60 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥18.15
  • 10¥15.39
  • 100¥12.56
  • 250¥11.18
  • 500¥10.07
产品属性
描述MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)电阻汲极/源极 RDS(导通)6 mOhms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PowerPAK SO-8
封装Reel正向跨导 gFS(最大值/最小值)80 S
栅极电荷 Qg55.7 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散104 W零件号别名SIR870DP-GE3

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