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SIS332DN-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：20 V

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参考价格

数量单价
1950￥3.59
3000￥3.45
6000￥3.24
12000￥3.04

产品属性

描述	MOSFET 30 Volts 35 Amps 33 Watts	漏极连续电流	35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.007 Ohms	配置	Single
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	PowerPAK 1212-8
封装	Reel	下降时间	8 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	38 S	栅极电荷 Qg	18 nC
功率耗散	33 Watts	上升时间	10 ns
典型关闭延迟时间	15 ns	零件号别名	SIS332DN-GE3

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