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  • SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 漏极连续电流:12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.016 Ohms

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥4.49
  • 25¥3.31
  • 100¥3.04
  • 250¥2.62
  • 500¥2.21
产品属性
描述MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAK 1212-8封装Reel
正向跨导 gFS(最大值/最小值)20 S栅极电荷 Qg7 nC
最小工作温度- 55 C功率耗散15.6 W
零件号别名SIS478DN-GE3

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