| 描述 | COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S) | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta），4A（Tc），2.3A（Ta），4A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 167 毫欧 @ 1.5A，10V，251 毫欧 @ 2.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 2.5W（Ta），17.9W（Tc），2.6W（Ta），23.1W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? 1212-8 双 |
