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  • SiS778DN-T1-GE3

SiS778DN-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 2000¥2.14
  • 3000¥2.07
  • 6000¥1.93
  • 12000¥1.79
产品属性
描述MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts漏极连续电流35 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.004 Ohms配置Single
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PowerPAK 1212-8
封装Reel下降时间9 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)60 S栅极电荷 Qg27.5 nC
功率耗散52 Watts上升时间12 ns
典型关闭延迟时间20 ns零件号别名SIS778DN-GE3

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