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SISA04DN-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+ 20 V, - 16 V

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参考价格

数量单价
1￥5.11
10￥4.62
100￥4.21
250￥4.07
500￥3.93

产品属性

描述	MOSFET 30V 40A 52W 2.15mohms @ 10V	漏极连续电流	40 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.00215 Ohms at 10 V	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	PowerPAK 1212-8
封装	Reel	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	52 W	零件号别名	SISA04DN-GE3

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