| 描述 | MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V | 漏极连续电流 | 16 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.024 Ohms at 10 V, 0.0135 Ohms at 10 V | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | PowerPAIR-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 10 nS, 8 nS | 栅极电荷 Qg | 3.8 nC, 7.3 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 33 W |
| 上升时间 | 10 nS, 9 nS | 典型关闭延迟时间 | 15 nS, 14 nS |
| 零件号别名 | SIZ904DT-GE3 |
