您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > siz920dt-t1-ge3

SIZ920DT-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 N 沟道(半桥)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.76545
  • 6000$0.7371
  • 15000$0.70875
  • 30000$0.69458
  • 75000$0.6804
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V D-S DUAL PWRPAIRFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.1 毫欧 @ 18.9A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1260pF @ 15V
功率 - 最大39W,100W安装类型表面贴装
封装/外壳6-PowerPair?供应商设备封装6-PowerPair?
包装带卷 (TR)其它名称SIZ920DT-T1-GE3TR

siz920dt-t1-ge3的相关型号: