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  • SIZF914DT-T1-GE3

SIZF914DT-T1-GE3

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  • 价格:6,000 : ¥5.64067卷带(TR)
  • 系列:PowerPAIR?, TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能-
漏源电压(Vdss)25V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)23.5A(Ta),40A(Tc),52A(Ta),60A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.8毫欧 @ 10A,10V,0.9毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA,2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)21nC @ 10V,98nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1050pF @ 10V,4670pF @ 10V
功率 - 最大值3.4W(Ta),26.6W(Tc),4W(Ta),60W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerWDFN
供应商器件封装8-PowerPair?(6x5)

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