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  • SP8J66TB1

SP8J66TB1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$1.1232
描述MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOICFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-Id 时的 Vgs(th)(最大)-
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大-安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装带卷 (TR)

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