| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 154 毫欧 @ 8.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 21?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 444pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | P-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SP000102169SPB10N10L G-NDSPB10N10LGINTRSPB10N10LGXT |
