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  • SPB80P06P G

SPB80P06P G

  • 制造商:-
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:SIPMOS?
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$1.68546
  • 2000$1.60119
  • 5000$1.53497
  • 10000$1.49284
  • 25000$1.44468
产品属性
描述MOSFET P-CH 60V 80A TO-263FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 64A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 5.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs173nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds5033pF @ 25V
功率 - 最大340W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装PG-TO263-3
包装带卷 (TR)其它名称SP000096088SPB80P06P G-NDSPB80P06PGINTRSPB80P06PGXT

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