您的位置:维库电子商城 > 晶体管 > FET,MOSFET > sqj186elp-t1_ge3
  • SQJ186ELP-T1_GE3

SQJ186ELP-T1_GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥7.55000剪切带(CT)3,000 : ¥3.20323卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q101
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)66A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.5 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2325 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)135W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? SO-8
封装/外壳PowerPAK? SO-8

sqj186elp-t1_ge3的相关型号: