您的位置:维库电子商城 > 晶体管 > FET,MOSFET > sqs660cenw-t1_ge3
  • SQS660CENW-T1_GE3

SQS660CENW-T1_GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥7.47000剪切带(CT)3,000 : ¥2.89641卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11.2 欧姆 @ 7A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)26 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1950 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)62.5W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK? 1212-8W
封装/外壳PowerPAK? 1212-8W

sqs660cenw-t1_ge3的相关型号: